球形羟基氧化钴的制备方法技术

技术编号:9525975 阅读:234 留言:0更新日期:2014-01-02 12:16
本发明专利技术涉及一种球形羟基氧化钴的制备方法,包括:提供控制结晶釜;将缓冲剂注入该控制结晶釜,该缓冲剂用于对反应物的反应速度进行控制;将钴盐溶液及碱性溶液作为反应物,注入具有缓冲剂的该控制结晶釜;使该反应物反应的同时仅在该控制结晶釜的釜体的底部区域对该反应物进行搅拌,从而通过控制结晶法制备球形羟基氧化钴。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种,包括:提供控制结晶釜;将缓冲剂注入该控制结晶釜,该缓冲剂用于对反应物的反应速度进行控制;将钴盐溶液及碱性溶液作为反应物,注入具有缓冲剂的该控制结晶釜;使该反应物反应的同时仅在该控制结晶釜的釜体的底部区域对该反应物进行搅拌,从而通过控制结晶法制备球形羟基氧化钴。【专利说明】
本专利技术属于锂离子电池领域,具体涉及一种用于制造钴酸锂的。
技术介绍
以智能手机、平板电脑、笔记本电脑、移动工具等为代表的移动电子设备的迅猛发展是建立在锂离子蓄电池的制备技术的发展的基础之上的。小型移动式电子设备对电池的安全性、热稳定性和循环寿命等技术指标有着近乎苛刻的要求。正因为对电池的安全性、可靠性的高标准使得目前阶段对整个产业起着支撑作用的正极材料钴酸锂在可预见的将来难以被取代。钴酸锂是应用最为广泛的一种正极活性材料,作为制备钴酸锂的原料之一,羟基氧化钴的性能直接影响钴酸锂产品的最终性能。为了对羟基氧化钴的形貌进行控制,目前常用的方法是通过喷雾干燥法将羟基氧化钴浆料进行二次造粒,得到由小颗粒团聚而成的二次颗粒。然而,这种方法得到的羟基氧化钴二次颗粒结构疏松,粒径难以控制,且工序复杂,无法满足钴酸锂提高能量密度并降低成本的要求。
技术实现思路
有鉴于此,确有必要提供一种能够用于制造钴酸锂的。一种,包括:提供控制结晶釜;将缓冲剂注入该控制结晶釜,该缓冲剂用于对反应物的反应速度进行控制;将钴盐溶液及碱性溶液作为反应物,注入具有缓冲剂的该控制结晶釜;使该反应物反应的同时仅在该控制结晶釜的釜体的底部区域对该反应物进行搅拌,从而通过控制结晶法制备球形羟基氧化钴。该可以一步得到结构致密、形状规则且粒径可控的实心的球形羟基氧化钴,无需二次造粒的过程,工艺简单,成本较低,适合于大规模工业生产,将该球形羟基氧化钴作为前驱体制造的钴酸锂具有更高的能量密度。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施例的采用的控制结晶釜的结构示意图。图2为本专利技术实施例的球形羟基氧化钴的扫描电镜照片。图3为本专利技术实施例的球形羟基氧化钴的XRD图谱。图4为本专利技术实施例通过该球形羟基氧化钴制备的钴酸锂的扫描电镜照片。图5为本专利技术实施例通过该球形羟基氧化钴制备的钴酸锂的XRD图谱。图6为本专利技术实施例通过该球形羟基氧化钴制备的钴酸锂的在锂离子电池中的电化学性能测试数据曲线。主要元件符号说明【权利要求】1.一种,包括: 提供控制结晶釜; 将缓冲剂注入该控制结晶釜,该缓冲剂用于对反应物的反应速度进行控制; 将钴盐溶液及碱性溶液作为反应物,注入具有缓冲剂的该控制结晶釜;及 使该反应物反应的同时仅在该控制结晶釜的釜体内的底部区域对该反应物进行搅拌,从而通过控制结晶法制备球形羟基氧化钴。2.如权利要求1所述的,其特征在于,该将缓冲剂注入该控制结晶釜的步骤为将该钴盐溶液和强碱溶液分别通过各自的进料管同时注入控制结晶釜的缓冲剂中。3.如权利要求1所述的,其特征在于,其特征在于,该反应物每分钟的进料量为釜体容积的三百分之一至万分之一。4.如权利要求1所述的,其特征在于,其特征在于,该控制结晶釜的搅拌桨仅在该控制结晶釜的釜体内的底部区域转动。5.如权利要求1所述的,其特征在于,该搅拌为仅在从该控制结晶釜的釜体底部开始的釜 体深度的1/10-?/3的区间进行搅拌。6.如权利要求1所述的,其特征在于,该搅拌速度为900转/分~2000转/分。7.如权利要求1所述的,其特征在于,该钴盐溶液为钴盐的水溶液,该钴盐为氯化钴、硫酸钴及硝酸钴中的一种或多种。8.如权利要求1所述的,其特征在于,该碱性溶液为氢氧化钾水溶液及氢氧化钠水溶液中的一种或多种。9.如权利要求1所述的,其特征在于,该控制结晶釜中钴盐和氢氧化钠的摩尔比为1: 2。10.如权利要求1所述的,其特征在于,该制备球形羟基氧化钴的步骤为一连续生产步骤,包括: 不断的向该控制结晶釜中加入该钴盐溶液和碱性溶液;以及 通过控制该钴盐溶液和碱性溶液的进料速度及搅拌速度,使反应得到的球形羟基氧化钴从该控制结晶釜的溢流槽不断溢出,保持该控制结晶釜中的反应物的量,实现连续生产。【文档编号】C01G51/04GK103482710SQ201310378777【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年8月27日 优先权日:2013年8月27日【专利技术者】方谋, 王要武, 何向明, 王莉, 尚玉明, 高剑, 郭建伟, 毛宗强 申请人:江苏华东锂电技术研究院有限公司, 清华大学本文档来自技高网...
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/25/201310378777.html" title="球形羟基氧化钴的制备方法原文来自X技术">球形羟基氧化钴的制备方法</a>

【技术保护点】
一种球形羟基氧化钴的制备方法,包括:提供控制结晶釜;将缓冲剂注入该控制结晶釜,该缓冲剂用于对反应物的反应速度进行控制;将钴盐溶液及碱性溶液作为反应物,注入具有缓冲剂的该控制结晶釜;及使该反应物反应的同时仅在该控制结晶釜的釜体内的底部区域对该反应物进行搅拌,从而通过控制结晶法制备球形羟基氧化钴。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:方谋王要武何向明王莉尚玉明高剑郭建伟毛宗强
申请(专利权)人:江苏华东锂电技术研究院有限公司清华大学
类型:发明
国别省市:

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