一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片技术

本发明专利技术公开了一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片，其操作步骤包括：a）在衬底上制作由N-GaN层、发光层和P-GaN层组成的外延层；b）对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成一个或多个划片槽；c）在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；d）向所述划片槽内填充绝缘材料；e）将所述高反射电极层键合到导热基板上；f）采用激光剥离技术将衬底去除；g）在所述N-GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作，本发明专利技术避免由于在激光剥离过程产生反冲或能量过高产生应力，确保本发明专利技术垂直LED芯片的成品率以及亮度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，其操作步骤包括：a）、在衬底上制作由N?GaN层、发光层和P?GaN层组成的外延层；b）、对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；c）、在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；d）、向所述划片槽内填充绝缘材料；e）、将所述高反射电极层键合到导热基板上；f）、采用激光剥离技术将衬底去除；g）、在所述N?GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏天使，刘撰，陈立人，余长治，李忠武，
申请(专利权)人：聚灿光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：