半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种半导体装置，该半导体装置具有半导体基板，该半导体基板具有：集电极区；漂移区；基极区；以及发射极区；其中，该半导体装置还具有：形成在从所述发射极区至所述漂移区的槽位；在槽位的底部以及侧壁上通过栅绝缘膜而设置的栅电极；在栅电极上以及半导体基板的一方的主平面上设置的绝缘膜；形成在从绝缘膜的表面至半导体基板的一方的主平面上的发射极区或基极区的、且比槽位的宽度窄的贯通孔；形成于所述贯通孔内的、与所述发射极区或所述基极区连接的第一电极的第一部分；延伸到所述绝缘膜上，与所述第一电极的第一部分连接的，由与所述第一电极的第一部分不同材料制成的第一电极的第二部分。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置，其具有半导体基板，所述半导体基板具有：第一导电型的集电极区；设置于所述集电极区上的、与所述第一导电型相反的第二导电型的漂移区；设置于所述漂移区上的第一导电型的基极区；以及设置于所述漂移区上的第二导电型的发射极区；?其中，所述半导体装置还具有：?形成在从所述发射极区至所述漂移区的槽位；?在所述槽位的底部以及侧壁上通过栅绝缘膜而设置的栅电极；?在所述栅电极上以及所述半导体基板的一方的主平面上设置的绝缘膜；?形成在从所述绝缘膜的表面至所述半导体基板的一方的主平面上的所述发射极区或所述基极区的、且比所述槽位的宽度窄的贯通孔；?形成于所述贯通孔内的、与所述发射极区或所述基极区连接的第一电极的第一部分；?延伸到所述绝缘膜上，与所述第一电极的第一部分连接的，由与所述第一电极的第一部分不同材料制成的第一电极的第二部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟居克行，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：实用新型
国别省市：