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本实用新型提供一种半导体装置，该半导体装置具有半导体基板，该半导体基板具有：集电极区；漂移区；基极区；以及发射极区；其中，该半导体装置还具有：形成在从所述发射极区至所述漂移区的槽位；在槽位的底部以及侧壁上通过栅绝缘膜而设置的栅电极；在栅电极...
该专利属于三垦电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社授权不得商用。

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