照相机模块制造技术

技术编号:9479219 阅读:84 留言:0更新日期:2013-12-19 06:55
本实用新型专利技术提供了一种照相机模块。晶片级照相机传感器封装包括在前表面上带有光学传感器的半导体衬底。硅通孔(TSV)贯穿衬底延伸,并从衬底的后侧提供与传感器的I/O接触。玻璃盖体定位在前表面上面,所述盖体和衬底嵌入模制化合物层(MCL)中,MCL的前表面与所述盖体的前部处于共面,后表面与衬底的后部处于共面。表面装配器件、电磁屏蔽件和贯穿晶片连接件能够嵌入MCL中。MCL的后表面上的重分布层包括用于装配封装的底部接触焊盘以及导电迹线,导电迹线将接触焊盘、TSV、表面装配器件、屏蔽件和贯穿晶片连接件互连。各向异性的导电粘接剂定位在MCL的前部上用于物理地和电性地附接透镜阵列。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种照相机模块,其特征在于,包括:半导体裸片;光学传感器电路,定位于所述裸片的前部面上;多个硅通孔,从所述前部面到与所述裸片的所述前部面相对的后部面贯穿所述裸片延伸,所述多个硅通孔中的每个硅通孔与所述裸片的所述前部面上的所述光学传感器电路电接触;透明盖体,在所述裸片的所述前部面上面耦合至所述裸片,所述透明盖体具有前部面和后部面,所述透明盖体的所述后部面面向所述裸片的所述前部面,所述透明盖体的横向尺寸与所述裸片的横向尺寸基本是共同延伸的;模制化合物层,所述裸片和所述透明盖体嵌入其中,所述模制化合物层的后部面与所述半导体裸片的后部面处于基本共面,并且所述模制化合物层的前部面与所述透明盖体的前部面处于基本共面;以及重分布层,在所述模制化合物层的所述后部面和所述半导体裸片的所述后部面上面延伸,所述重分布层在其后部面上具有多个接触焊盘,并且多个导电迹线互连所述多个硅通孔中的硅通孔和所述多个接触焊盘中的接触焊盘的所选择的组合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:栾竟恩
申请(专利权)人:意法半导体有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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