成像装置、制造该成像装置的方法和照相机制造方法及图纸

本公开内容涉及成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。一种制造成像装置的方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。
技术介绍
在成像装置中，如果产生了残像，则图像质量降低。残像的原因是在硅中存在氧。专利文献1涉及固态成像器件。该文献描述了半导体基板中的氧浓度越低，残像量越小。专利文献1：日本专利公开No.2007-251074在专利文献1中，对残像抑制的检查不足。因此，在专利文献1中描述的固态成像装置中，在氧浓度不是足够低的像素中可能产生残像。本专利技术是认识到上述问题而被提出的，并且提供有利于抑制残像产生的技术。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供了一种制造成像装置的方法，该方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。根据本专利技术的第二方面，提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造成像装置的方法，其特征在于，包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，所述晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，所述硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；以及在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。

【技术特征摘要】
2015.06.12 JP 2015-119712;2015.10.16 JP 2015-204671.一种制造成像装置的方法，其特征在于，包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，所述晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，所述硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；以及在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在退火之前在基板的硅层中形成沟槽，其中，在退火中，沟槽的内表面被氧化。3.根据权利要求2所述的方法，还包括沿着沟槽的内表面形成与第二半导体区域的导电类型相反的导电类型的杂质区域。4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成杂质区域是在退火之后执行的。5.根据权利要求2所述的方法，还包括在退火之后用绝缘体填充沟槽。6.根据权利要求1所述的方法，其中，在不小于800℃且不大于1150℃的温度下执行退火。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在退火中，在基板被加热
\t之后以不小于1℃/sec的降温速率将基板冷却。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅层包括厚度不小于5μm且不大于25μm的外延层。9.根据权利要求1所述的方法，还包括在基板的表面上形成栅极电极，其中，设C22max和C22min分别为栅极电极形成之后第二半导体区域中的氧浓度的最大值和最小值，则C22max/C22min不大于10。10.根据权利要求1至9中的任何一个所述的方法，其中，第二半导体区域具有与第一半导体区域相同的导电类型，以及在形成光电转换元件中，与第二半导体区域的导电类型不同的导电类型的第一杂质区域形成在第一半导体区域和基板的表面之间，并且与第二半导体区域的导电类型相同的导电类型的第二杂质区域形成在第一杂质区域和基板的表面之间。11.一种成像装置，其特征在于，所述成像装置包括由单晶硅制成的基板和布置在基板的前表面一侧的元件隔离部分，其中，设Cmax和Cmin分别为离所述前表面的距离不大于20μm的部分的半导体区域中的氧浓度的最大值和最小值，则Cmax/Cmin不大于10，以及光电转换元件布置在所述半导体区域中。12.根据权利要求11所述的成像装置，其中，Cmax/Cmin不大于5。13.根据权利要求11所述的成像装置，所述部分的半导体区域中
\t的氧浓度落在不小于2×1016个原子/cm3且不大于4×1017个原子/cm3的范围内。14.根据权利要求11所述的成像装置，其中，所述半导体区域的至少一部分中的氧浓度不大于1×1017个原子/cm3。15.根据权利要求11至14中的任何一个所述的成像装置，其中，所述光电转换元件包括n型第一杂质区域和p型第二杂质区域，p型第二杂质区域布置在比n型第一杂质区域远离所述前表面的地方，以及第二杂质区域中的氧浓度不大于1×1017个原子/cm3。16.根据权利要求15所述的成像装置，其中，第二杂质区域包括：第一部分，所述第一部分包括p型杂质的净浓度表现出第一最大的值的位置，以及第二部分，所述第二部分布置在比第一部分远离所述前表面的地方，并且包括p型杂质的净浓度表现出比第一最大的值小的第二最大的值的位置。17.根据权利要求11所述的成像装置，其中，所述元件隔离部分由绝缘体制成，所述绝缘体包括在其中氢浓度不小于5×1018个原子/cm3的部分。18.根据权利要求11所述的成像装置，其中，所述元件隔离部分由含有氢的绝缘体制成，并且通过在基板的深度方向上对元件隔离部分中的氢浓度进行积分而获得的...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄山敏弘，高草木弘，山崎康生，石野英明，小川俊之，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP