【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有检测相位差的焦点检测像素的固态成像设备和一种配备有该固态成像设备的数字照相机。
技术介绍
每一个都配备有诸如CCD图像传感器或CMOS图像传感器的固态成像设备以获得数字图像的数字照相机被广泛地使用(见专利文献I)。大多数数字照相机配备有自动对焦功能(在下文中称为AF)，该自动对焦功能自动地调整拍摄透镜的焦点。数字照相机的功能已经改进并且数字照相机的价格已经降低。例如，已经进行了加速AF处理的改进而价格没有增加。专利文献2公开了一种数字照相机，其执行了相位差方法的AF。数字照相机的固态成像设备有普通像素、第一焦点检测像素和第二焦点检测像素。普通像素接收通过普通开口部入射的光，普通开口部的中心与光电二极管(在下文中表示为PD)的光接收表面的中心相一致。第一焦点检测像素接收通过第一偏心开口部入射的光，第一偏心开口部的中心相对于ro的光接收表面的中心在第一方向上偏移。第二焦点检测像素接收通过第二偏心开口部入射的光,第二偏心开口部的中心相对于F1D的光接收表面的中心在第二方向上偏移。第二方向与第一方向相反。通过在其上方形成了 ro的半导体衬底上覆盖遮...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.18 JP 2010-1388851.一种固态成像设备，其特征在于包括半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成的杂质层；在所述杂质层上方以预定图案排列的多个像素，所述像素具有用于通过光电转换生成信号电荷并且累积所述信号电荷的光电二极管，所述像素产生通过光学系统形成的被摄体图像的图像信号，所述像素包括至少一对两种类型的焦点检测像素，用于使用相位差方法产生用于光学系统的焦点检测的图像信号；以及在所述半导体衬底和所述两种类型的焦点检测像素之间形成的区域控制层，所述区域控制层使得在所述两种类型的焦点检测像素中的每一个的所述光电二极管中第一光电转换区域和第二光电转换区域中的一个的厚度小于另一个的厚度，所述两种类型的焦点检测像素的所述光电二极管的所述第一光电转换区域彼此面对，在每一个光电二极管中所述第二光电转换区域在所述第一光电转换区域的相对侧。2.根据权利要求1所述的固态成像设备，其特征在于所述半导体衬底是第一导电类型，并且第一电压从电压施加电路施加到所述半导体衬底，并且在所述半导体衬底和所述杂质层之间形成所述区域控制层，并且所述区域控制层是第二导电类型的溢出阻挡层，所述溢出阻挡层是抵抗从所述光电二极管向所述半导体衬底的所述信号电荷的势垒，并且所述溢出阻挡层具有第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层位置在所述第一光电转换区域下方，所述第二阻挡层是不同于所述第一阻挡层的区域，并且所述第二阻挡层的所述第二导电类型的杂质浓度低于所述第一阻挡层的所述第二导电类型的杂质浓度，以及当所述第一电压被施加于所述半导体衬底时，所述第二阻挡层的势垒降低，并且在所述第二光电转换区域的第二阻挡层侧的一部分中产生的所述信号电荷向所述半导体衬底放电，并且所述第一阻挡层的势垒被维持在阻止所述信号电荷从所述第一光电转换区域向所述半导体衬底放电的电平。3.根据权利要求2所述的固态成像设备，其特征在于所述电压施加电路将所述第一电压或低于所述第一电压的第二电压选择性地施加于所述半导体衬底，并且当所述第二电压被施加于所述半导体衬底时，所述第二阻挡层的势垒被维持在阻止所述信号电荷从所述第二光电转换区域向所述半导体衬底放电的电平。4.根据权利要求1所述的固态成像设备，其特征在于所述区域控制层位于所述第一光电转换区域和所述半导体衬底之间，并且所述区域控制层具有其中所述区域控制层在所述第一光电转换区域侧的顶面位于高于所...
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