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消除了在一个焦点检测像素对于来自斜右上方向的入射光的灵敏度和另一个焦点检测像素对于来自斜左上方向的入射光的灵敏度之间的差异。在半导体衬底29上方形成OFB层38和低浓度层39。在低浓度层39中形成了构成普通像素30N的PD?40N、构成第一...
该专利属于富士胶片株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士胶片株式会社授权不得商用。

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