一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件，以p型单晶硅基片为衬底，硅基片衬底的抛光面上设置有多孔硅层，多孔硅层的平均孔径为68.8nm，厚度为18.1μm，多孔硅层的上面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型专利技术采用兼具高比表面积和孔道高度有序化的多孔硅作为气敏材料，可在室温工作，且对低浓度的氮氧化物气体实现了高选择性的超快探测；体积小巧、结构简单、工艺成熟、使用方便、价格低廉，有望在氮氧化物气体传感器领域获得推广和应用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超快探测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件，包括硅基片衬底，其特征在于，所述硅基片衬底(1)为p型单晶硅基片，硅基片衬底(1)的抛光面上设置有多孔硅层(2)，多孔硅层(2)的上面设置有铂电极正极(3)和铂电极负极(4)；?所述的多孔硅层(2)是具有高比表面积和孔道高度有序化的气敏材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明，李明达，曾鹏，马双云，闫文君，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：实用新型
国别省市：