【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及氮氧化物荧光体粉的制造方法和由此制造方法制造的氮氧化物荧光体粉、以及氮化物荧光体粉的制造方法和由此制造方法制造的氮化物荧光体粉。
技术介绍
荧光体用于真空荧光显示器(VFD)、场发射显示器(FED)、发光二极管(LED)显示装置或LED背光灯等。在这些荧光体的任一种的应用中，需要用于激发荧光体的激发能量，所述能量利用真空紫外线、紫外线、电子束或蓝色光等具有高能量的激发光激发，产生可见光。然而，这些荧光体存在长期暴露在高能量激发光中，由在所述装置的使用中产生的热或水分导致亮度降低或显色指数变差的问题，因此需要能够解决所谓的荧光猝灭现象(luminescence quenching)的问题的突光体。作为一个用来解决所述问题的方法，已经使用了氮氧化物和氮化物荧光体粉，但这些荧光体的合成多数是在1800°〇一20001高温和IOatm — IOOatm高压下进行的固态反应法。此外，由于原材料多为氮化物，因此存在着在合成中使用昂贵的装置和昂贵的材料、合成时难以得到均匀的荧光体的问题。此外，为了将荧光体有效地用作所述用途，需要适用于各用途的有效地激发的新荧光体和用...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹大镐，赵德洙，正木孝树，宋荣显，林一志，韩相赫，
申请(专利权)人：成均馆大学校产学协力团，大洲电子材料株式会社，
类型：发明
国别省市：
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