【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高压器件，包括：?半导体层，具有第一导电类型；?源区，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，该源区形成于所述半导体层中；?漏区，具有所述的第二导电类型，该漏区形成于所述半导体层中，与所述源区相分离；?第一隔离层，位于源区和漏区之间的所述半导体层上；?第一阱区，具有所述的第二导电类型，形成于所述漏区的外围，向所述源区延伸，但与所述源区相分离；?栅区，位于靠近源区一侧的所述第一隔离层上；?螺旋阻性场板，位于漏区和栅区之间的所述第一隔离层上，具有第一端和第二端；?第一介电层，覆盖所述源区、漏区、第一隔离层、栅区及螺旋阻性场板；?源电极，耦接所述源区和所述阻性场板的第一端；?漏电极，耦接所述漏区和所述阻性场板的第二端；以及?多个第一场板，围绕所述源电极排列于所述第一介电层上，从源电极开始，朝漏电极的方向延伸，其中，所述多个第一场板相互隔离，其中的起始第一场板与所述源电极连接，并且所述多个第一场板中的每一个均覆盖所述螺旋阻性场板中的一段或多段。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳徳R迪斯尼，欧力杰米力克，易坤，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。