多晶硅制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种多晶硅制备装置。多晶硅制备装置包括缓冲腔，还包括装卸平台、清洗腔、至少一沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔；上述的装卸平台、清洗腔、沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔分别置于缓冲腔的周围，且均与该缓冲腔连接；所述缓冲腔内设置有一机械手臂，该机械手臂包括一定位杆、U型插片和至少一连杆；所述定位杆的一端可旋转的设置于所述缓冲腔内，所述U型插片通过所述至少一连杆与所述定位杆的另一端可旋转的连接。本实用新型专利技术通过将原本外置的沉积腔与多晶硅制备装置集成在一起，能够节省工艺步骤和占地空间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅制备装置，所述多晶硅制备装置包括一缓冲腔，其特征在于，该装置还包括至少一个沉积腔；所述沉积腔与所述缓冲腔连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昱均，许民庆，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：