【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种LED芯片的PN台阶，所述LED芯片包括衬底和成形在所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括N型导电层、发光层和P型导电层，所述外延层具有PN台阶，所述PN台阶上覆盖有绝缘钝化膜，其特征在于，所述PN台阶的上台阶面为P型导电层，其下台阶面为N型导电层，所述上台阶面与所述下台阶面之间连接形成PN台阶侧面；其中，所述PN台阶侧面包括位于所述上台阶面的第一连接边和位于所述下台阶面的第二连接边，所述第二连接边位于所述第一连接边与所述下台阶面端部之间，且所述PN台阶侧面为曲面或斜面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏天使，李忠武，何金霞，
申请(专利权)人：聚灿光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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