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本发明公开了一种LED芯片的PN台阶、LED芯片以及制作方法，所述LED芯片包括衬底和成形在所述衬底上的外延层，所述外延层具有PN台阶，所述PN台阶上覆盖有绝缘钝化膜，所述PN台阶的上台阶面为P型导电层，其下台阶面为N型导电层，所述上台阶面...
该专利属于聚灿光电科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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