提高离子注入机使用周期的锗注入方法技术

本发明专利技术的提高离子注入机使用周期的锗注入方法，包括：将晶圆放入离子注入腔室，对腔室抽真空；向离子注入腔室内通入GeF4和SiH4气体；GeF4和SiH4气体发生分解，分解的Si+、游离的F和游离的H被排出腔室；腔室内分解的Ge+注入到晶圆内；其中，游离的F和游离的H反应生成HF气体，被抽出腔室；腔室内分解的Si+和Ge+进入引出极的磁场，Si+不能通过引出极磁场而被排除，Ge+经磁场发生偏转后注入晶圆内。本发明专利技术的方法，改进了传统锗注入的方法，避免了在离子注入腔体上形成毛屑物，减少了对腔体的腐蚀，同时降低工艺危险性，提高锗注入工艺后离子注入机的使用周期。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高离子注入机使用周期的锗注入方法，其特征在于，包括：步骤S01：将晶圆放入离子注入腔室，对所述腔室抽真空；步骤S02：向所述离子注入腔室内通入GeF4和SiH4气体；步骤S03：所述腔室内的电子束激发所述GeF4和SiH4气体发生分解，分解的Si+、游离的F和游离的H被排出所述腔室；步骤S04：所述腔室内分解的Ge+注入到所述晶圆内；其中，所述游离的F和游离的H反应生成HF气体，被抽出所述腔室；所述腔室内分解的Si+和Ge+进入所述腔室内的引出极的磁场，经加速后，所述Si+不能够通过所述磁场而被排除，所述Ge+经所述磁场发生偏转后注入所述晶圆内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖朝荣，常明刚，苏俊铭，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：