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提高离子注入机使用周期的锗注入方法技术
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下载提高离子注入机使用周期的锗注入方法的技术资料
文档序号:9382680
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本发明的提高离子注入机使用周期的锗注入方法,包括:将晶圆放入离子注入腔室,对腔室抽真空;向离子注入腔室内通入GeF4和SiH4气体;GeF4和SiH4气体发生分解,分解的Si+、游离的F和游离的H被排出腔室;腔室内分解的Ge+注入到晶圆内;...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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