一种导电聚合物二氧化钌薄膜电极及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种导电聚合物二氧化钌薄膜电极及其制备方法。其中导电聚合物为聚二氧乙撑噻吩，导电聚合物中加入二氧化钌粉末，电极基片采用钽片。通过在单体溶液中或氧化剂溶液中加入制备好的超细二氧化钌粉末，并将二氧化钌粉末分散在单体溶液中或氧化剂溶液中；然后将钽片浸入氧化剂溶液中，随后再将钽片浸入单体溶液中，在常温条件下在钽片表面聚合生成含有二氧化钌的导电聚合物薄膜。或在预聚合聚二氧乙撑噻吩的溶液中加入制备好的超细二氧化钌粉末，并将二氧化钌粉末分散，直接在钽片表面涂覆含有二氧化钌粉末的导电聚合物薄膜。本方法制备的导电聚合物薄膜电极可在-55℃～+125℃的范围内使用，可进行无限次充放电。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种导电聚合物二氧化钌薄膜电极，所述导电聚合物二氧化钌薄膜电极形成于钽电容器的钽片（3）表面，其特征是，所述导电聚合物二氧化钌薄膜电极是一种以聚3，4?乙撑二氧噻吩（1）或改性的聚3，4?乙撑二氧噻吩为基材、二氧化钌粉末（2）分散其中的薄膜电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁坤阳，何静，
申请(专利权)人：株洲宏达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：