ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法技术

本发明专利技术属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明专利技术包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。3）采用磁控溅射设备，在金刚石薄膜/Si结构基片上沉积制备ZnO缓冲层薄膜，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
ECR?PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜；3）采用磁控溅射设备，在金刚石薄膜/Si结构基片上沉积制备ZnO缓冲层薄膜，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气；4）采用ECR?PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将基片加热至300～700℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，其二者流量比为（4～5）：（100～180）；控制气体总压强为1.5～1.8Pa；电子回旋共振反应30min～3h,?得到在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si结构基片上的InN光电薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵琰，王存旭，王晓文，王立杰，曹福毅，孙勇，许鉴，王宝石，衣云龙，郭瑞，王帅杰，关新，刘莉莹，高微，王德君，
申请(专利权)人：沈阳工程学院，
类型：发明
国别省市：