ECR-PEMOCVD系统对InN/AlN/自支撑金刚石膜结构的制备方法技术方案

本发明专利技术属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可低温制备电学性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD系统对InN/AlN/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明专利技术包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，加热基片，向反应室内通入氢气携带的三甲基铝、氮气，控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的AlN缓冲层薄膜，AlN缓冲层薄厚度为20～80nm。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
ECR?PEMOCVD系统对InN/AlN/自支撑金刚石膜结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR?PEMOCVD系统，将反应室抽真空，加热基片，向反应室内通入氢气携带的三甲基铝、氮气，控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的AlN缓冲层薄膜，AlN缓冲层薄厚度为20～80nm；3）继续采用ECR?PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将基片加热至20℃～500℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（2～3）：（100～200），控制气体总压强，电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苗丽华，隋丽丽，赵宇丹，申笑颜，匡宝平，刘洪，葛欣，巴林，白英，
申请(专利权)人：沈阳医学院，
类型：发明
国别省市：