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本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在ZnO缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次...
该专利属于沈阳工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工程学院授权不得商用。

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