【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料；多个沟槽，位于漂移层第一导电半导体材料表面，沟槽内下部填充第二导电半导体材料，槽内上部整个内壁设置有绝缘材料，沟槽内上部填充介质材料；电荷补偿结构，由漂移层的第一导电半导体材料和沟槽内下部填充第二导电半导体材料构成；肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料表面。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。