【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为第一导电半导体材料构成；第二导电半导体材料层，位于衬底层之上，为第二导电半导体材料；多个沟槽，位于漂移层第二导电半导体材料中，沟槽内下部填充第一导电半导体材料，沟槽内上部侧壁表面设置有绝缘材料，同时槽内下部填充第一导电半导体材料也衬底层相连；肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料表面。
【技术特征摘要】
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