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一种以嵌段聚合物为模板实现金纳米粒子生长的方法技术

技术编号:9292264 阅读:162 留言:0更新日期:2013-10-30 22:05
本发明专利技术公开了一种以嵌段聚合物为模板实现金纳米粒子生长的方法,以单晶硅为基底,利用嵌段聚合物为模板来构筑在纳米尺度上有序排列的高密度的金属纳米粒子,然后将其浸泡在一定浓度的金的生长液中,通过控制其在生长液中的生长时间控制纳米粒子尺寸的方法。该方法用旋涂PS-b-PVP在硅基底上复合成膜,利用选择性溶剂处理来诱导PS-b-PVP微相分离形成纳米尺度的微区,利用金属纳米粒子与PS-b-PVP中吡啶环上的氮原子的较强的协同作用,即对Au、Ag纳米粒子有优先选择性,形成有序排列的高密度的金属纳米粒子阵列。通过改变生长液的生长时间可得到不同尺寸的金纳米粒子阵列。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种以嵌段聚合物为模板实现金纳米粒子生长的方法,包括以下步骤:步骤一、将硅片依次用蒸馏水、无水乙醇超声30min,然后置于75℃的H2O2:NH3·H2O:H2O体积比为1:1:5的溶液中,沸腾10min,用蒸馏水清洗数次备用;步骤二、将质量分数为0.5wt%的PS?b?PVP的甲苯混合溶液旋涂在经过步骤一处理过的硅基底上,形成聚合物薄膜,膜厚为20nm;步骤三、将由步骤二制备好的旋涂有聚合物薄膜的硅基底依次放入PS链段的良溶剂?甲苯的饱和蒸汽中溶剂诱导5h、乙醇中浸泡30min,真空干燥;步骤四、将质量分数为0.2wt%的氯金酸的乙醇溶液旋涂在经步骤三真空干燥过的硅基底上;步骤五、将步骤四所...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:鲁从华赵阳
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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