包括功率晶体管单元和连接线的集成电路制造技术

本发明专利技术涉及包括功率晶体管单元和连接线的集成电路，其中功率晶体管单元形成在集成电路的单元阵列中。接触通孔可以将位于单元阵列上方的金属结构和功率晶体管单元电连接。连接线将配置在单元阵列中的第一元件和配置在外围区域中的第二元件电连接。连接线的一部分配置在金属结构和单元阵列之间并且在彼此平行并且相距一定距离配置的第一轴和第二轴之间延伸。该距离大于连接线部分的宽度。连接线部分与第一轴和第二轴相切。通过缩短关键部分或通过利用晶界效应来减少沿着连接线由剪应力诱导的材料迁移。增加包覆连接线的绝缘体结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成电路，包括:以单元阵列形成的功率晶体管单元;金属结构，形成在所述单元阵列上万，以及连接线，将配置在所述单元阵列中的第一元件和配置在所述单元阵列外的第二元件电连接，所述连接线的一部分配置在所述金属结构和所述单元阵列之间，所述部分在被配置为彼此平行并且相距一定距离的第一轴和第二轴之间延伸，其中，所述距离大于所述连接线部分的宽度，并且所述连接线部分与所述第一轴和所述第二轴相切。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔诺·泽赫曼，伯恩哈德·奥尔，斯特凡·德克尔，托马斯·德策尔，克里斯蒂安·德耶拉斯，罗伯托·伊林，斯文·兰泽尔斯托尔费尔，库尔特·马托伊，米夏埃尔·内尔希贝尔，斯特凡·韦勒特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
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