【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种化学机械抛光模拟方法，其特征在于，包括步骤：选择集成电路版图中的任意一根互连线为研究对象；以所述研究对象为基准，在所述集成电路版图所在的平面内，分别向所述研究对象的至少四个方向延展一个平坦化长度，形成所述研究对象的划分窗格；提取所述研究对象的划分窗格中版图结构的特征参数，所述特征参数至少包括等效密度、等效线宽和等效间距中的两个；根据所述特征参数，采用化学机械抛光模型进行化学机械抛光模拟；得到所述研究对象的金属碟形和/或介质侵蚀模拟结果。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马天宇，陈岚，孙艳，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。