【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】 【技术特征摘要】 【专利技术属性】
一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长复合缓冲层，所述复合缓冲层为多周期结构，每一周期包括AlxGa1?xN层和在所述AlxGa1?xN层上生长的InyGa1?yN层，其中0
技术研发人员：林明金，魏世祯，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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