【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于3D铜互连高深宽比硅通孔技术微孔电镀填铜方法，其特征在于，该方法包含：步骤1，配制甲基磺酸铜体系电镀液；步骤2，通过电镀预处理对硅通孔技术的微孔进行润湿；步骤3，带电入槽，增加超小电流扩散步骤，使铜离子和添加剂在硅通孔技术的微孔表面和孔内部实现合理的分布；步骤4，将硅通孔技术所在晶圆片与电源阴极连接，使晶圆电镀面完全浸泡在电镀溶液中，在阴极旋转或搅拌情况下进行分步电流法电镀，电镀条件为电流密度0.01?10A/dm2，温度15?30℃；步骤5，电镀结束后，将晶圆用去离子水完全冲洗干净，甩干或吹干。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，于仙仙，马丽，李艳艳，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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