【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是ー种针对高硬度材质(SiC)实现大尺度、高深宽比三维结构的加エ方法。
技术介绍
与硅(Si)相比，SiC具有宽禁带(Si的3倍)、高热导率(Si的3. 3倍)、高击穿场强(Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(Si的2. 5倍)、高強度(碳化硅克氏硬度为3000kg/_2，可以切割红宝石，还具有高耐磨性，仅次于金刚石)等优点。同时SiC的化学性质非常稳定，耐腐蚀性非常强，室温下几乎可以抵抗大多数腐蚀剂的腐蚀。所以SiC特别适合于制造高温、高频、高功率、抗辐 射、抗腐蚀的器件。SiC器件可用于人造卫星、火箭、雷达与通讯、战斗机、海洋勘探、地震预报、石油钻井、汽车电子化等重要领域。如微推进系统，由于微推进系统需要点火燃烧，所以，其对器件耐高温、可靠性等方面具有极高的要求。由于推进器点火后，温度将达到3000摄氏度以上，而常规材料(如硅)只能承受1440摄氏度左右的温度，已经无法满足在微推进系统中应用的要求，因此，需要利用能耐更高温度的材料，制作MEMS微型推进系统。在众多的材料中，SiC材料能承受2700摄氏度以上的高温，是制作微推进系统的最佳选择。但正因为SIC的高硬度、高耐磨性、高稳定性和耐腐蚀性，使得其大尺度、高深宽比的三维结构加工用常规方法难以实现。
技术实现思路
本专利技术提出的是ー种针对高硬度材质(SiC)三维结构的加工方法，其目的g在解决现有技术中由于SiC材质类似于金刚石的硬度而无法或很难直接进行大尺度、高深宽比三维结构加工的难题。本专利技术的技术解决方案一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，包括如下エ艺步骤...
【技术保护点】
一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；二、在硅基上异质生长SiC材料；三、将硅腐蚀掉，最后形成SiC大尺度、高深宽比三维结构构架。
【技术特征摘要】
1.一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤 一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工； 二、在硅基上异质生长SiC材料； 三、将硅腐蚀掉，最后形成SiC大尺度、高深宽比三维结构构架。2.根据权利要求1所述的一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是所述的利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工，如DRIE、RIE干法刻蚀技术和KOH、TMAH湿法腐蚀技术，实现的硅三维结构。3.根据权利要求1所述的一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，其特征是所述的将硅腐蚀掉，利用DRIE...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱健，侯智昊，石归雄，郁元卫，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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