一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品技术

本发明专利技术公开了一种可提高图形深宽比的纳米压印方法，包括：（a）软、硬模板的准备步骤；（b）对半导体基片清洗干燥处理后在其表面上涂覆底胶并执行固化处理，接着在该底胶层上镀上硬掩膜层且底胶层与硬掩膜层之间的刻蚀选择比为10以上；（c）在硬掩膜层上涂覆光刻胶并经烘烤处理，然后利用软模板在压印胶层上形成所需的纳米图形；（d）通过多次干法刻蚀处理，分别去除压印胶层上的残胶、刻蚀硬掩膜层和底胶层，将所需的纳米图形依次向下转移；（e）利用底胶层上的图形作为掩膜在半导体基片上形成最终的纳米图形产品。通过本发明专利技术，可以显著提高底胶掩膜的深宽比并相应获得高深宽比的纳米图形，同时进一步提高所获得纳米图形的图像精细程度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于图像压印
，更具体地，涉及一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品。
技术介绍
随着科技的不断发展，微小化、集成化和低成本是半导体制造方向的产业趋势。因此纳米压印(Nanoimprint Lithography)技术作为一种新型的图形转移技术，由于其分辨率高、成本低的优势在半导体制造中得到越来越多的应用，相比于传统的光刻技术，纳米压印可以制作出20nm以下的小线宽图形，并相对于高精度的电子束曝光技术而言，纳米压印技术拥有极低的制作成本，适合于大规模的工业生产。传统的纳米压印技术是通过温度的控制使得基片上的压印胶软化流动，再与压印 模板进行机械接触通过压力的控制将压印模板上的图形转移到压印胶上。这种直接机械接触的压印方式有以下缺点由于不能完全保证被压印基片的平整度和清洁度，因此这种直接硬模板压印在基片不平整区域会降低压印的质量，使得周围一部分区域因为没有直接接触到压印模板而使得图形不完整；此外，由于压印模板成本较高，直接机械接触式的压印会降低模板使用寿命，相应提高纳米压印的成本。因此，现在越来越多地采用软模板(Softmold)技术来执行模板的转移，该技术首先是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可提高图形深宽比的纳米压印方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：（a）软、硬模板的准备步骤：首先根据所需加工的纳米图形，通过电子束曝光的方式制作出硬模板，然后将该硬模板上的图形予以转移并制作出相应的软模板；（b）底胶涂覆和硬掩膜层的形成步骤：对半导体基片进行清洗和干燥处理后，在其表面上涂覆底胶并对底胶执行固化处理，由此在半导体基片上形成底胶层；接着，在所形成的底胶层上镀上硬掩膜层，其中所述底胶层与硬掩膜层之间的刻蚀选择比为10以上；（c）纳米压印图形的转移步骤：在所形成的硬掩膜层上涂覆光刻胶，经烘烤处理后获得用于构成所需纳米图形的相应压印胶层；然后，利用步骤（a）所制得的软模板在所述压印胶...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王智浩，刘文，孙堂友，左强，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：