背面对准光刻误差的校验装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术的目的在于公开一种背面对准光刻误差的校验装置，它包括硅基板，硅基板的表面刻制有一校准图形区域，在所述校准图形区域的表面沉积一钝化层，所述硅基板的背面刻蚀有一深槽图形区域，所述深槽图形区域的底部与所述钝化层的底部相平齐；与现有技术相比，通过在显微镜下测量硅基板正面的图形与背面深槽的位置差异从而检测光刻工艺背面对准的误差，不仅能用于检测背面对准光刻工艺，也可用于校验背面对准检验设备的精度，并且用于控制硅材料背面深槽结构深度，即只有当深槽的刻蚀深度到达钝化层时，才能在显微镜下同时观测到正面和背面结构；可广泛适用于硅微电子器件，包括压力传感器，加速度计等微电子机械系统，实现本实用新型专利技术的目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种校验装置，特别涉及一种适用于光刻工艺中的背面对准光刻精度校验以及硅背面腐蚀深度控制的背面对准光刻误差的校验装置。
技术介绍
微电子机械系统又称MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)是目前新兴的高
，用于大规模制造高性能器件，如压力传感器、加速度计和陀螺仪等。微电子机械系统脱胎于集成电路(Integrated Circuit),并将电子电路和机械力学结构结合在一起，可将力学信号转化为电信号输出，比如将位移和转动速度转化成电压或电流输出；也可将电学信号转化成力学信号，如将电压或电流施加在微电子机械系统上，该系统可产生相应的运动。微电子机械系统的工艺技术与集成电路相似，但具有特殊的结构制造工艺，如背面对准光刻和背面刻蚀等。 在微电子机械系统领域，常采用硅作为机械结构材料，并对硅进行加工。加工的主要方法是光刻，即用光刻设备将设计的图形或结构转移到硅上。高性能微电子机械系统需要在硅正面和反面制造不同的机械结构，并且对正面结构和反面结构的相对位置有严格的要求。微电子机械系统的加工工艺中，通过背面对准光刻工艺可以实现这一要求，但背面对准光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背面对准光刻误差的校验装置，其特征在于，它包括硅基板，所述硅基板的表面刻制有一校准图形区域，在所述校准图形区域的表面沉积一钝化层，所述硅基板的背面刻蚀有一深槽图形区域，所述深槽图形区域的底部与所述钝化层的底部相平齐。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，熊建功，李小刚，赵健，
申请(专利权)人：慧石上海测控科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：