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本发明是一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，包括如下工艺步骤：一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；二、在硅基上异质生长SiC材料；三、将硅腐蚀掉，最后形成SiC大尺度、高深宽比三维结构构架。...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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