一种双路噪声抵消型电流复用低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双路噪声抵消型电流复用低噪声放大器，其特征在于：包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管（N2）、第二P型金属氧化物晶体管（P2）、第一电感（L1）、第二电感（L2）、第一电容（C1）、第三电容（C3）；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管（N3）、第三P型金属氧化物晶体管（P3）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第四电容（C4）、第五电容（C5）；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管（P1）、第二电阻（R2）、第六电容（C6）；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管（N1）、第一电阻（R1）、第二电容（C2）；?所述第一电容（C1）、第二电容（C2）和第三电容（C3）的上极板分别连接射频信号输入端（Vin）；所述第一电容（C1）的下极板分别与第二电感（L2）的负端、第二P型金属氧化物晶体管（P2）的源极连接；所述第二电感（L2）的正端与电源连接；所述第二P型金属氧化物晶体管（P2）的栅极连接第三偏置电压（Vb3）；第二P型金属氧化物晶体管（P2）的漏极为信号输出端（Vout），其分别与第一P型金属氧化物晶体管（P1）的漏极、第二N型金属氧化物晶体管（N2）的漏极和第一N型金属氧化物晶体管（N1）的源极相连；所述第一N型金属氧化物晶体管（N1）的漏极与电源电压连接；第一N型金属氧化物晶体管（N1）的栅极分别与第二电容（C2）的下极板、第一电阻（R1）的正端连接，第一电阻（R1）的负端连接第一偏置电压（Vb1）；所述第二N型金属氧化物晶体管（N2）的栅极连接第二偏置电压（Vb2）；第二N型金属氧化物晶体管（N2）的源极分别与第一电感（L1）的正端、第三电容（C3）的下极板和第四电容（C4）的上极板连接；第一电感（L1）的负端接地；第四电容（C4）的下极板分别与第五电容（C5）的下极板、第三电阻（R3）的正端和第三N型金属氧化物晶体管（N3）的栅极连接；所述第三电阻（R3）的负端连接第四偏置电压（Vb4）；所述第三N型金属氧化物晶体管（N3）的源极接地；第三N型金属氧化物晶体管（N3）的漏极分别与第三P型金属氧化物晶体管（P3）的漏极、第四电阻（R4）负端和第六电容（C6）的下极板连接；所述第三P型金属氧化物晶体管（P3）的源极连接电源；第三P型金属氧化物晶体管（P3）的栅极分别与第四电阻（R4）正端、第五电容（C5）的上极板连接；所述第六电容（C6）的上极板分别与第二电阻（R2）负端、第一P型金属氧化物晶体管（P1）的栅极连接；所述第一P型金属氧化物晶体管（P1）的源极与电源连接；所述的第二电阻（R2）正端连接第五偏置电压（Vb5）。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建辉，杨仲盼，薛晨辉，陈超，白春风，刘智林，尹海峰，徐哲，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：