宽电源电压范围的氮化镓稳压电路制造技术

本发明专利技术公开了一种宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，属于稳压电路领域，包括：电源VCC、地GND、偏置单元和输出单元。本发明专利技术采用增强型氮化镓HEMT实现的宽电源电压范围的稳压电路，能够为芯片内部电路模块提供稳定电源电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及稳压电路，特别涉及一种宽电源电压范围的氮化镓稳压电路。

技术介绍

1、氮化镓材料是公认的第三代功率半导体材料，和传统的硅材料相比，其拥有更大的电子迁移率、更高的临界击穿电场、更小的导热率，因此氮化镓功率器件具有高速、高可靠、低损耗、耐高温的特点，应用在电能转换系统中能显著提高系统的开关速度、转换效率与功率密度。

2、随着氮化镓工艺的进步，氮化镓高低压集成技术允许设计者将氮化镓低压电路和氮化镓高压功率器件集成在一个衬底之上。在电源系统中，相较于将硅驱动电路、硅控制电路和氮化镓功率器件采用板级线路连接的方案，氮化镓全集成芯片可以减小系统面积与成本，降低系统内部的寄生参数，提升电源系统的可靠性。

3、由于目前氮化镓工艺技术尚未完全成熟，p型氮化镓晶体管的电子迁移率较低，不具备实际应用的价值。此外，常用氮化镓全集成工艺技术也无法实现pn结二极管的集成。因此在现有商业化氮化镓工艺的有源器件中仅有n型氮化镓hemt可供设计者使用。尽管n型氮化镓hemt有增强型和耗尽型两种器件可用，但仅采用增强型氮化镓器件进行电路设计具有低制造成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，其特征在于，包括：电源VCC、地GND、偏置单元(315)和输出单元(375)；

2.根据权利要求1所述的宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，其特征在于，包括：电源vcc、地gnd、偏置单元(315)和输出单元(375)；

2.根据权利要求1所述的宽电源电压范围的氮化镓稳压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑逸飞，袁伟民，董千恒，李博宇，孙伟锋，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：