用于降低SOI结构的器件层中的金属含量的方法以及通过该方法制造的SOI结构技术

公开了一种用于制造绝缘体上硅结构的方法，该绝缘体上硅结构在其器件层中具有降低的金属含量。还公开了具有降低的金属含量的绝缘体上硅结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·格拉贝，L·P·弗兰纳里，
申请(专利权)人：MEMC电子材料有限公司，
类型：
国别省市：