一种集成温度补偿负反馈的芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种集成温度补偿负反馈的芯片结构，包括芯片VDD端、芯片GND端、芯片SW端、第一晶体管、第二晶体管、启动电路模块、电源供电模块、逻辑控制模块、驱动模块、以及带温度补偿负反馈模块，其中所述带温度补偿的负反馈模块包括补偿二极管单元（D1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（Rsence）、基准电流源（Iref）和比较器。本发明专利技术集成了温度补偿负反馈回路，电源芯片的电源系统输出电压Vout稳定，与环境温度和芯片结温相关性大幅减弱；将电源管脚与反馈管脚合并为一个管脚，彻底去除了传统方案中FB管脚失效的可能性，直接降低了芯片生产环节的失效率，可以节省系统元器件，系统成本优势明显。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成温度补偿负反馈的芯片结构，包括芯片VDD端、芯片GND端、芯片SW端、第一晶体管、第二晶体管、启动电路模块、电源供电模块、逻辑控制模块、驱动模块、以及带温度补偿负反馈模块，其中芯片VDD端分别与带温度补偿负反馈模块、电源供电模块、启动电路模块连接；所述电源供电模块分别与带温度补偿负反馈模块、逻辑控制模块连接；所述逻辑控制模块分别与启动电路模块、带温度补偿负反馈模块、驱动模块连接；所述驱动模块分别与第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极连接；所述启动电路模块、第一晶体管的漏极、第二晶体管的漏极分别与芯片SW端连接；所述第二晶体管的源端与带温度补偿负反馈模块连接；所述第一晶体管的源端与芯片GND端连接；其特征在于：所述带温度补偿的负反馈模块包括补偿二极管单元（D1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（Rsence）、基准电流源（Iref）和比较器，其中补偿二极管单元（D1）的一端与芯片VDD端连接，补偿二极管单元（D1）的另一端与第一电阻（R1）的一端连接；所述第一电阻（R1）的另一端分别与比较器的正端、第二晶体管的源端、第三电阻（Rsence）的一端连接；所述基准电流源（Iref）的一端与电源供电模块连接，基准电流源（Iref）的另一端分别与比较器的负端、第二电阻（R2）的一端连接；所述第二电阻（R2）的另一端和第三电阻（Rsence）的另一端均与芯片VDD端连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶平，李海松，易扬波，张立新，
申请(专利权)人：无锡芯朋微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：