隔离电容、隔离通信电路制造技术

本发明专利技术公开了一种隔离电容、隔离通信电路，该隔离电容包括：P型衬底(100)、位于衬底之上的N型埋层(101)，位于N型埋层(101)之上的深N阱(102)和P阱(103)，位于P阱(103)上的第一电极(107)和第二电极(108)，位于P阱(103)和第一电极(107)之间的第一介质层(112)，位于第一电极(107)和第二电极(108)之间的第二介质层(113)。利用本发明专利技术方案，可以降低高压电容所引起的寄生电容，从而降低高压隔离电路的设计难度，提高电路的可靠性。提高电路的可靠性。提高电路的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
隔离电容、隔离通信电路


[0001]本专利技术涉及电气隔离电路
，具体涉及一种隔离电容、隔离通信电路。

技术介绍

[0002]目前，常用的电容隔离通信电路如图1所示，其中，Ciso1至Ciso4为隔离电容；Cp1至Cp4是隔离电容Ciso1至Ciso4各自的寄生电容，即对地电容；电阻R1和R2用于提供共模电位。
[0003]参照图1，该电容隔离通信电路通过信号调制电路，将输入通路上有效信号即图1中输入的差分信号IN1和IN2，调制为高频信号，通过隔离电容Ciso1至Ciso4传递到信号解调电路，通过信号解调电路对高频信号进行解调，得到低输出信号，即图1中的输出信号OUT1和OUT2。
[0004]通过上述方式可以实现高低频信号耦合。
[0005]通常，对地电容Cp(即寄生电容Cp1至Cp4)是相应的隔离电容Ciso的5倍左右，电容越大，信号解调电路接收到的信号幅值就越小，解调的难度就越大。
[0006]由于对地电容Cp过大，导致调制信号会有一部分被对地电容Cp耦合掉，耦合的电容会导致调制难度更大，要达到更好本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种隔离电容，其特征在于，包括：P型衬底(100)、位于衬底之上的N型埋层(101)，位于N型埋层(101)之上的深N阱(102)和P阱(103)，位于P阱(103)上的第一电极(107)和第二电极(108)，位于P阱(103)和第一电极(107)之间的第一介质层(112)，位于第一电极(107)和第二电极(108)之间的第二介质层(113)。2.根据权利要求1所述的隔离电容结构，其特征在于，所述P型衬底(100)上方形成第一P型接触区(105)；所述P阱(103)上方形成第二P型接触区(106)；所述N阱(102)上方形成N型接触区(104)。3.根据权利要求2所述的隔离电容结构，其特征在于，所述第一介质层(112)和第二介质层(113)中形成有一个或者多个与第一P型接触区(105)形成导电的第一金属结构(111)、一个或者若干个与第二P型接触区(106)形成导电的第二金属结构(109)、以及一个或者多个与N型接触区(104)形成导电的第三金属结构(110)。4.根据权利要求2所述的隔离电容，其特征在于，所述第一P型接触区(105)的掺杂浓度大于所述P型衬底(100)的掺杂浓度；所述第二P型接触区(106)的掺杂浓度大于所述P阱(103)的掺杂浓度。5.根据权利要求2所述的隔离电容，其特征在于，所述N型接触区的掺杂浓度大于所述N阱(102)的掺杂浓度。6.根据权利要求3所述的隔离电容，其特征在于，所述第一金属结构(111)与地电位相连或者与应用场景中最低电位相连。7.根据权利要求3所述的隔离电容，其特征在于，所述第二金属结构(109)浮空或者与其他高阻结...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹健，林晓伟，祝靖，李海松，
申请(专利权)人：无锡芯朋微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：