电容器、其制造方法及其使用方法技术

本发明专利技术提供了一种电容器、其制造方法及其使用方法，电容器包括承载结构、异质结堆叠结构、第一电极和第二电极，异质结堆叠结构连接于承载结构，异质结堆叠结构包括多个相互层叠的异质结，每一异质结包括势垒层和沟道层，同一异质结中：势垒层和沟道层相互层叠从而在沟道层中形成二维电子气，沟道层位于势垒层背对承载结构的一侧；第一电极和第二电极连接于异质结堆叠结构背对承载结构的一侧表面；异质结堆叠结构还可以具有鳍状结构。该电容器具有多个导电沟道，电容器的电阻较小，电容器的Q值较高；而且，通过改变电容器两端的电压，可以改变电容器的电容。电容器的电容。电容器的电容。

【技术实现步骤摘要】
电容器、其制造方法及其使用方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种电容器、其制造方法及其使用方法。

技术介绍

[0002]射频前端是无线通讯模块的核心组件，低噪声放大器、压控振荡器、混频器、滤波器、双工器等都是射频前端的重要组成部分，可调电子元器件在这些部件中扮演着非常关键的角色，其可以调节自身阻抗，以适用于不同的频段和带宽。可调电容是使用非常广泛的可调电子元器件，在射频前端中可以处理不同频段的信号。此外，可调电容还广泛应用于自动频率控制、检波、调谐等射频电子

[0003]用于评价可调电容的性能的一个参数是品质因子Q。Q值与信号频率（ω），电容（C），电阻（R）有关，Q的表达式为：Q=1/(ωCR)。Q值是电路的储能属性及其耗能属性之间关系的度量，是谐振时电路储存的最大能量与电路在一个振荡周期所消耗的能量的比值。现有的可调电容，其电阻较大，这导致可调电容的Q值不高。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种电容器，该电容器具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.电容器，其特征在于，包括：承载结构；异质结堆叠结构，连接于所述承载结构，所述异质结堆叠结构包括多个相互层叠的异质结，每一所述异质结包括势垒层和沟道层，同一所述异质结中：所述势垒层和所述沟道层相互层叠从而在所述沟道层中形成二维电子气，所述势垒层位于所述沟道层背对所述承载结构的一侧；第一电极，连接于所述异质结堆叠结构背对所述承载结构的一侧表面；第二电极，连接于所述异质结堆叠结构背对所述承载结构的一侧表面，且所述第二电极与所述第一电极间隔设置。2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述势垒层的材质为AlGaN，所述沟道层的材质为GaN。3.电容器，其特征在于，包括：承载结构；异质结堆叠结构，连接于所述承载结构，所述异质结堆叠结构包括多个相互层叠的异质结，每一所述异质结包括势垒层和沟道层，同一所述异质结中：所述势垒层和所述沟道层相互层叠从而在所述沟道层中形成二维电子气，所述势垒层位于所述沟道层背对所述承载结构的一侧；钝化层，连接于所述异质结堆叠结构背对所述承载结构的一侧表面，所述钝化层为绝缘材质；第一电极，连接于所述钝化层背对所述承载结构的一侧表面；第二电极，连接于所述钝化层背对所述承载结构的一侧表面，且所述第二电极与所述第一电极间隔设置。4.电容器，其特征在于，包括：承载结构；异质结堆叠结构，连接于所述承载结构，所述异质结堆叠结构包括多个相互层叠的异质结，每一所述异质结包括势垒层和沟道层，同一所述异质结中：所述势垒层和所述沟道层相互层叠从而在所述沟道层中形成二维电子气，所述势垒层位于所述沟道层背对所述承载结构的一侧；第一电极，连接于所述异质结堆叠结构背对所述承载结构的一侧表面；第二电极，连接于所述异质结堆叠结构背对所述承载结构的一侧表面，且所述第二电极与所述第一电极间隔设置；钝化层，连接于所述异质结堆叠结构背对所述承载结构的一侧表面，且所述钝化层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述钝化层为绝缘材质。5.根据权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述第一电极包括第一场板部，所述第二电极包括第二场板部，所述第一场板部和所述第二场板部均连接于所述钝化层背对所述异质结堆叠结构的一侧表面。6.电容器，其特征在于，包括：承载结构；异质结堆叠结构，连接于所述承载结构，所述异质结堆叠结构由多个异质结相互层叠
而形成，每一所述异质结由势垒层和沟道层相互层叠而形成，同一所述异质结中：所述势垒层和所述沟道层相互层叠从而在所述沟道层中形成二维电子气，所述沟道层位于所述势垒层背对所述承载结构的一侧；多个所述异质结的层叠方向为第一方向，所述异质结堆叠结构包括主体部、多个第一鳍片部和多个第二鳍片部，所述第一鳍片部和所述第二鳍片部分别连接于所述主体部沿第二方向的两侧，多个所述第一鳍片部沿第三方向分布，多个所述第二鳍片部沿所述第三方向分布，任意两个相邻的所述第一鳍片部之间具有第一间隙，任意两个相邻的所述第二鳍片部之间具有第二间隙，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向中的任意两者相互垂直；第一电极，覆盖在所述第一鳍片部的表面和所述第一间隙的壁面，所述第一电极与所有所述异质结接触；第二电极，覆盖在所述第二鳍片部的表面和所述第二间隙的壁面，所述第二电极与所有所述异质结接触，所述第二电极与所述第一电极间隔设置。7.电容器，其特征在于，包括：承载结构；异质结堆叠结构，连接于所述承载结构，所述异质结堆叠结构由多个异质结相互层叠而形成，每一所述异质结由势垒层和沟道层相互层叠而形成，同一所述异质结中：所述势垒层和所述沟道层相互层叠从而在所述沟道层中形成二维电子气，所述沟道层位于所述势垒层背对所述承载结构的一侧；多个所述异质结的层叠方向为第一方向，所述异质结堆叠结构包括主体部、多个第一鳍片部和多个第二鳍片部，所述第一鳍片部和所述第二鳍片部分别连接于所述主体部沿第二方向的两侧，多个所述第一鳍片部沿第三方向分布，多个所述第二鳍片部沿所述第三方向分布，任意两个相邻的所述第一鳍片部之间具有第一间隙，任意两个相邻的所述第二鳍片部之间具有第二间隙，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向中的任意两者相互垂直；钝化层，所述钝化层为绝缘材质，所述钝化层覆盖所述第一鳍片部的外表面、所述第一间隙的壁面、所述第二鳍片部的外表面、所述第二间隙的壁面和所述主体部背对所述承载结构的一侧表面；第一电极，连接于所述钝化层背对所述异质结堆叠结构的一侧表面，并套设于所述第一鳍片部和所述第一间隙处；第二电极，连接于所述钝化层背对所述异质结堆叠结构的一侧表面，并套设于所述第二鳍片部和所述第二间隙处，所述第一电极和所述第二电极间隔设置。8.电容器，其特征在于，包括：承载结构；异质结堆叠结构，连接于所述承载结构，所述异质结堆叠结构由多个异质结相互层叠而形成，每一所述异质结由势垒层和沟道层相互层叠而形成，同一所述异质结中：所述势垒层和所述沟道层相互层叠从而在所述沟道层中形成二维电子气，所述沟道层位于所述势垒层背对所述承载结构的一侧；多个所述异质结的层叠方向为第一方向，所述异质结堆叠结构包括主体部、多个第一
鳍片部和多个第二鳍片部，所述第一鳍片部和所述第二鳍片部分别连接于所述主体部沿第二方向的两侧，多个所述第一鳍片部沿第三方向分布，多个所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：马俊，邹文松，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：