基于三模冗余和DICE的抗辐射加固锁存器制造技术

本发明专利技术涉及微电子学中的抗辐射集成电路设计领域，为提供基于TMR和DICE的抗辐射加固锁存器，实现对内部数据的SEU进行防护。为此，本发明专利技术采用的技术方案是，基于三模冗余和DICE的抗辐射加固锁存器，输入级由四个表决模块1、2、3、4构成；表决模块1和3接受同相输入信号，表决模块2和4接受反相输入信号；N型晶体管M1、M2、M3和M4由时钟信号CK控制；表决模块1、2、3和4实现对前级输入信号A、B和C及其反相信号的三选一表决；表决模块1和3的导通情况相同，表决模块2和4的导通情况相同，表决模块1和表决模块2的导通情况相反。本发明专利技术主要应用于抗辐射集成电路设计。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于三模冗余和DICE的抗辐射加固锁存器，其特征是，输入级由四个表决模块1、2、3、4构成；表决模块1和3接受同相输入信号A、B和C，表决模块2和4接受反相输入信号nA、nB和nC；N型晶体管M1、M2、M3和M4由时钟信号CK控制，当CK为高时，外部信号的值写入内部节点I1、I2、I3和I4中；当CK为低时，M1、M2、M3和M4关断，内部节点I1、I2、I3和I4的状态由DICE结构5保持；I1和I3的状态与输入相反，I2和I4的状态与输入相同；I1和I3的电平值经过Guard?Gate电路6输出到后级；表决模块1、2、3和4实现对前级输入信号A、B和C及其反相信号的三选一表决；表决模...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚素英，李渊清，徐江涛，史再峰，高静，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：