【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种降低激光峰值退火工艺缺陷的方法，应用于超浅结工艺中，其特征在于，所述方法包括；提供一晶圆；对所述晶圆的正面进行退火工艺后，继续对所述晶圆的背面进行清洗工艺，以去除在所述退火工艺中吸附于所述晶圆表面上的颗粒污染物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李志伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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