【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有刻蚀停止层和第一介质层；在第一介质层上形成光刻胶掩模，进行第一刻蚀，在第一介质层中形成具有第一宽度的开口，而后去除残余的光刻胶掩模；进行第一沉积，在第一介质层上以及开口的侧壁与底壁上形成第二介质层；对所述第二介质层进行第二刻蚀，去除第一介质层上以及开口底壁上的第二介质层保留具有第一厚度的所述开口侧壁上的第一介质层；进行第二沉积，形成第三介质层，所述第三介质层至少填满所述开口；平坦化所述第三介质层至露出所述第二介质层；进行第三刻蚀，去除所述第二介质层，以在所述第一介质层和所述第三介质层之间形成缝隙；进行第四刻蚀，刻蚀所述第一介质和所述第三介质，以拓宽所述缝隙而形成沟槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何其旸，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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