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一种沟槽的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上依次有刻蚀停止层和第一介质层；形成光刻胶掩模，进行第一刻蚀，在第一介质层中形成具有第一宽度的开口；进行第一沉积，形成第二介质层；对第二介质层进行第二刻蚀，去除第一介质层上以及开口底壁和侧...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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