【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种PN结构的掺杂方法，其特征在于，其包括：步骤S1、通过离子注入的方式将掺杂离子注入至一基底的表面中和/或背面中得到一PN结构；步骤S2、使用一第一洗液清洗该PN结构，该第一洗液用于去除溅射至该基底的表面上、背面上或侧面上的掺杂离子形成的杂质；步骤S3、对经过清洗的该PN结构进行退火处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯，陈维，洪俊华，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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