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PN结构的掺杂方法技术
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文档序号:9172094
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本发明公开了一种PN结构的掺杂方法,其包括:步骤S1、通过离子注入的方式将掺杂离子注入至一基底的表面中和/或背面中得到一PN结构;步骤S2、使用一第一洗液清洗该PN结构,该第一洗液用于去除溅射至该基底的表面上、背面上或侧面上的掺杂离子形成的...
该专利属于上海凯世通半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海凯世通半导体有限公司授权不得商用。
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