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本发明涉及一种降低激光峰值退火工艺缺陷的方法，该方法包括：提供一晶圆；对所述晶圆的正面进行退火工艺后，继续对所述晶圆的背面进行清洗工艺，以去除在所述退火工艺中吸附于所述晶圆背面上的颗粒污染物。本发明通过在对晶圆进行退火工艺后，采用清洗液继续...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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