考虑器件老化的设计集成电路的方法技术

本发明专利技术涉及考虑器件老化的设计集成电路的方法，公开了一种设计集成电路(IC)的方法，包括通过提供标准单元库以及作为标准单元的引脚处的电活动的函数的标准单元内的器件电活动的器件活动文件，考虑热载流子注入、负偏置温度不稳定性和栅极氧化物击穿，来仿真IC的老化发展。提供标准单元发展文件，其存储标准单元的电特性老化数据。提供IC内的单元的各个实例的引脚处的仿真电活动的实例活动文件。实例活动文件和器件活动文件用于分析器件活动和器件的结果老化发展，并且然后产生IC的结果老化发展的数据。然后可以修改IC设计以便考虑老化发展。

【技术实现步骤摘要】
考虑器件老化的设计集成电路的方法
本专利技术涉及半导体集成电路设计，并且更具体地，涉及考虑在电路设计中使用的器件的老化可靠性的半导体集成电路设计。
技术介绍
半导体器件经受随着使用和随时间使其性能劣化的各种现象。随着制造处理技术的发展，特征尺寸变得更小，当前小到几十纳米，这样加重了这种劣化。在这些现象中，有热载流子注入(HCI)、负偏置温度不稳定性(NBTI)和与时间相关的电介质(栅极氧化物)击穿(TDDB)。器件特性发生的改变改变了电路性能，并且可以引发电路故障。因此，需要在集成电路(IC)的设计阶段模拟这些现象的影响，以便检查和分析可靠性问题，并且在需要的情况下，使得能够修改设计。超大规模集成电路(VLSI)可以包括几亿个半导体器件。VLSI的设计和制造通常使用将综合、布局和布线算法与IC的性能和行为仿真和用于设计闭合的分析流程集成在一起的计算机辅助设计工具和程序。已知的模拟仿真器是“以集成电路为重心的模拟程序(SimulationprogramwithIntegratedCircuitEmphasis，SPICE)”，并且已知的数字仿真器基于Verilog和VHDL(超高速IC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设计半导体集成电路(IC)的方法，包括：提供标准单元的库，每个标准单元具有互连的器件以及用于连接到其它单元和/或端口的引脚的相应定义，所述库包含用于相应单元的布局和性能数据；提供作为相应标准单元的引脚处的电活动的函数的相应标准单元中的器件的电活动的器件活动文件(DAF)；提供作为相应标准单元中的器件的电特性的老化发展的函数的相应标准单元的电特性的发展的标准单元发展文件(SCEF)；提供实例活动文件(IAF)，实例活动文件仿真IC中的单元的各个实例的引脚处的电活动；使用所述IAF和所述DAF，以提供对IC中的所述器件的活动和所述器件的电特性的结果老化发展的仿真；使用所述SCEF和对所述器件的...

【技术特征摘要】
1.一种设计半导体集成电路IC的方法，包括：提供标准单元的库，每个标准单元具有互连的器件以及用于连接到其它单元和/或端口的引脚的相应定义，所述库包含用于相应单元的布局和性能数据；提供作为相应标准单元的引脚处的电活动的函数的相应标准单元中的器件的电活动的器件活动文件DAF；提供作为相应标准单元中的器件的电特性的老化发展的函数的相应标准单元的电特性的发展的标准单元发展文件SCEF；提供实例活动文件IAF，实例活动文件仿真IC中的单元的各个实例的引脚处的电活动；使用所述实例活动文件IAF和所述器件活动文件DAF，以提供对IC中的所述器件的活动和所述器件的电特性的结果老化发展的仿真；使用所述标准单元发展文件SCEF和对所述器件的电特性的结果老化发展的所述仿真，以产生所述实例的电特性的结果老化发展的数据；以及使用所述实例的电特性的结果老化发展的所述数据，以产生IC的电特性的结果老化发展的数据；其中产生所述实例的电特性的结果老化发展的数据包括产生与新品实例的示意图相对应的老化实例的示意图，并且使用所述老化实例的示意图产生IC的电特性的结果老化发展的数据。2.如权利要求1所述的方法，其中所述器件活动文件DAF包含作为相应...

【专利技术属性】
技术研发人员：张致琛，王传政，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：