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本发明涉及考虑器件老化的设计集成电路的方法，公开了一种设计集成电路(IC)的方法，包括通过提供标准单元库以及作为标准单元的引脚处的电活动的函数的标准单元内的器件电活动的器件活动文件，考虑热载流子注入、负偏置温度不稳定性和栅极氧化物击穿，来仿...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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