Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用技术

技术编号:9167000 阅读:146 留言:0更新日期:2013-09-19 15:55
本发明专利技术提供了一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用。该制备方法可包括:取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合,并加入水混合均匀,常温静置24h~48h,再分离出固形物,经乙腈等清洗后获得Ag-TCNQ一维纳米晶。该制备方法可用以制备有机电子器件。本发明专利技术工艺简单,易于操作,无需特殊的反应设备,反应条件温和,在常温下即可进行,适于工业化生产,并且最终产物纯度高,不含杂质,表面光滑,尺寸分布均一,具有很好的电学存储性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Ag?TCNQ一维纳米晶的制备方法,其特征在于,包括:取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合,并加入水混合均匀,并静置24h以上,再分离出固形物,经清洗后获得Ag?TCNQ一维纳米晶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴浩迪潘革波肖燕
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
类型:发明
国别省市:

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