本发明专利技术属于纳米材料领域，特别涉及一种超细单晶Si纳米线及其制备方法。所述超细单晶Si纳米线的直径为1.5~2.5nm，且不含催化剂。所述方法的工艺步骤为：（1）生长基底及载物盘的清洗；（2）超细单晶Si纳米线的生长：①将SiO粉末平铺在第一载物盘上并放入双温区管式炉的高温区中心部位，将所述长基底放在第二载物盘上并放入所述双温区管式炉的低温区中心部位；②在通载流气体条件下将双温区管式炉的低温区升温至950~960℃，高温区升温至1300~1350℃，并使炉内压强保持在0.02~0.04MPa，然后在上述温度和压强保温4~6h，保温时间届满后，所述生长基底上即生长出超细单晶Si纳米线。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种超细单晶Si纳米线，其特征在于该纳米线的直径为1.5~2.5nm，且不含催化剂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张析，李瑞，向钢，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：
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