一种有机非线性光学晶体的生长方法技术

本发明专利技术属于晶体生长技术领域，涉及一种有机非线性光学晶体的生长方法，先将DAST晶体生长原料干燥后溶于无水甲醇溶液中，配制成DAST甲醇溶液；再将DAST甲醇溶液加热过滤后转入广口瓶中；然后将聚四氟乙烯板放入广口瓶后密封广口瓶；再将广口瓶放置在密封的水浴加热装置中保温后降温，直至DAST晶体不再生长时，将DAST晶体取出，即生长得到表面积较大且厚度较厚的DAST晶体；其生长方法简单，原理科学，生长环境友好，成本低，生长出的DAST晶体几何尺寸大，透过率高，便于进一步加工利用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种有机非线性光学晶体的生长方法，其特征在于选用4?（4?二甲氨基苯乙烯基）甲基吡啶对甲苯磺酸盐，即DAST作为晶体生长原料，采用斜板缓慢降温法，通过调整和控制工艺参数，优化生长条件，生长出表面积和厚度较大的DAST晶体；其具体生长过程为：（1）、将DAST晶体生长原料置于100℃烘箱中干燥1～2小时，得到干燥后的DAST晶体生长原料；（2）、称取干燥后的DAST晶体生长原料溶于无水甲醇溶液中，加热搅拌2～3小时，配制成重量百分比浓度为5～15%的DAST甲醇溶液；（3）、将DAST甲醇溶液加热至50～60℃后过滤，将过滤得到的滤液转入干燥洁净的广口瓶中备用；（4）、将聚四氟乙烯板放入步骤（3...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹丽凤，滕冰，钟德高，冯珂，史永鑫，庄树杰，
申请(专利权)人：青岛大学，
类型：发明
国别省市：