硅晶太阳能电池基板的制作方法技术

硅晶太阳能电池基板的制作方法包含：将硅晶块材浸于硝酸银及含水氢氟酸的溶液中使硝酸银与硅晶块材持续产生银粒子及第一氧化硅层，同时使含水氢氟酸持续移除第一氧化硅层从而使硅晶块材的表面向内凹陷有多纳米级沟槽；后续，将硅晶块材浸于硝酸水溶液中以移除纳米级沟槽中的银粒子并同时氧化硅晶块材以形成第二氧化硅层；最后，将硅晶块材浸于氢氟酸溶液中移除第二氧化硅层并从而制得硅晶太阳能电池基板。硝酸银浓度是至少等于0.01M以使硅晶块材向内凹陷有纳米级沟槽，以致在省略掉抗反射层的沉积步骤下，也可使300～800nm间的光源入射至基板后的平均反射率低于6%，从而使光源有效地由硅晶太阳能电池基板所吸收以进行光电效应。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅晶太阳能电池基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包含以下步骤：(a)将一硅晶块材浸泡于一含有一硝酸银及一含水氢氟酸的混合溶液中，使该硝酸银与该硅晶块材持续产生一氧化还原反应以形成多个纳米银粒子及一第一氧化硅层，同时，使该含水氢氟酸持续移除该第一氧化硅层，并从而由该硅晶块材的一表面向内凹陷有多个纳米级沟槽；(b)在该步骤(a)后，将该硅晶块材浸泡于一硝酸水溶液中以移除残留于所述纳米级沟槽中的纳米银粒子，并同时氧化该硅晶块材以形成一第二氧化硅层；及(c)在该步骤(b)后，将该硅晶块材浸泡于一氢氟酸水溶液中以移除该第二氧化硅层，并从而制得该硅晶太阳能电池基板；其中，该硝酸银在该混合溶液中的浓度是至少等于0.01M，以使该硅晶块材自其表面向内凹陷有所述纳米级沟槽，并使得一介于300nm～800nm波段间的光源在入射至该硅晶太阳能电池基板后所造成的平均反射率是低于6%。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王国祯，邱恒徳，薛丞智，李文中，
申请(专利权)人：合晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：